三星将使用长江存储专利技术

据韩国媒体报道 三星电子已与长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。

报道称，三星之所以选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。并且三星经过评估认为，从下一代V10 NAND开始，其已经无法再避免长江存储专利的影响。

三星、SK海力士等传统3D NAND大厂在传统的单片晶圆生产方面具有很大的技术优势和产能优势，因而转换到CBA架构的意愿不强，步伐也较慢，使得它们在面对已经在CBA架构3D NAND和配套的混合键合技术上已持续投入多年的长江存储时，将会不可不避免的面临专利方面的障碍。

长江存储在2018年推出自研的Xtacking技术之后，在CBA架构方向上已经进行了大量的投资。2021年，长江存储还与Xperi达成DBI混合键合技术等相关专利组合许可。这些方面的积极投入都成为了长江存储能够快速在数年时间内在NAND Flash技术上追平国际一线厂商的关键。

此次长江存储向三星提供专利许可，是中国存储产业的一次重大突破，充分凸显了长江存储在3D NAND领域的技术创新实力。