台积电加速在美投资建厂，而三星则推迟在美国工厂建设

台积电和三星正在以不同的方式推进其在美国的晶圆厂业务。

据《华尔街日报》今天援引消息人士说法称，台积电正在加快其在亚利桑那州芯片制造园区的投资。与此同时，三星据报道正在推迟其位于得克萨斯州的一座芯片工厂的完工时间。这两家公司的建设项目预计将总共耗资超过1800亿美元。

根据《华尔街日报》的报道，台积电为了将更多资源投入到亚利桑那州加速投资计划中，正在放缓其在日本的一个晶圆厂建设项目。后者将成为公司在凤凰城附近建设的一个大型制造中心，该中心将包括九个不同的设施，预计全面投产后可雇佣6000名专业人员。

台积电首个亚利桑那州晶圆厂于2024年底投入运营，生产4纳米芯片。公司最先进的晶圆厂预计将在本十年末开放，将生产基于1.6纳米节点的处理器，并采用纳米片晶体管技术——这是一种厚度仅为数百个原子的半导体材料薄片。

据称被台积电推迟建设的日本晶圆厂将建在去年开业的现有工厂旁边。两座工厂全面投产后，每月可生产高达10万片12英寸晶圆的芯片。台积电设想这些芯片将用于数据中心、工业设备、汽车和消费电子产品。

作为台积电在代工芯片制造市场的主要竞争对手之一，三星也在扩大其在美国的生产基础设施。2020年，该公司宣布计划投资170亿美元在得克萨斯州泰勒市（Taylor）建设新晶圆厂。该工厂距离三星目前位于奥斯汀的两个芯片厂约30英里。

最初，三星计划在2024年底前开始在泰勒工厂生产芯片，但这一时间表已被推迟至2026年。本周四，《日经亚洲》（Nikkei Asia）报道称，三星之所以延迟完工，是因为难以找到足够的客户。

根据媒体报道所引用的监管文件显示，截至今年3月，该工厂的建设进度已经超过90%。然而，据悉三星并不急于将芯片制造设备搬入该设施。

三星最初计划在泰勒工厂生产4纳米芯片。但据《日经亚洲》报道，公司高管后来决定改用更先进的2纳米工艺更为合适。目前三星似乎采取了“观望”策略，因为升级到2纳米工艺可能需要大量额外投资。

三星在回应相关报道的声明中表示，仍计划在2026年前完成该工厂的建设。目前尚不清楚该工厂是否会如期安装所有原本计划中的生产设备。

台积电与三星都计划在今年晚些时候推出各自最新、最先进的2纳米制造工艺。这些技术将采用一种名为“环绕栅极”（Gate-All-Around, GAA）的晶体管架构设计。这种结构可以减少晶体管在处理数据时的电力损耗，从而提升能效和性能。